高純鋁靶Rotary target

規格
  • 矽管狀靶
簡介
  • 我司多晶矽旋轉靶(拉晶製程)在生產流程方面,原料來源為拉晶5N多晶矽棒;矽胚加工為棒鑽孔研磨方式;矽胚成品為OD100~170 xID80~150xL200mm;管狀矽靶成品為高温焊料(高功率濺鍍15kw/米)同心度0.3/間隙0.2-0.3且均勻/結合率99%以上。

    更換我司靶材後,客戶端良率及稼動率明顯提昇

詳細介紹

  1. 我司多晶矽旋轉靶(拉晶製程)生產流程:
    原料來源矽胚加工矽胚成品管狀矽靶成品
    拉晶5N多晶矽棒棒鑽孔研磨OD100~170
    xID80~150xL200mm
    高温焊料(高功率濺鍍15kw/米)
    同心度0.3/間隙0.2-0.3且均勻/結合率99%以上
    註:亦可設計兩端狗骨頭型式,使其靶材使用率提升。
     
  2. 目前業界-噴塗矽靶使用缺點問題分析:
    噴塗式矽旋轉靶,可能缺點問題如下:
    a.濺鍍時程短:生產平均5000kw時數,靶材需做PM拋磨結瘤點,避免Arc及玻璃塵點良率問題。
    b.良率不佳:目前玻璃塵點(亮點)良率:依據目前各家規範目前生產良率為70-80%。
    c.裂靶:使用過程需注意功率曲線,避免發生裂靶狀況。
    d.ARC:電阻率過高造成需更高電壓才能濺射,又因高電壓易造成Arc問題。
    e.膜厚不均:靶材本身電阻率分佈不均影響濺鍍鍍率不穩定,造成玻璃各區膜厚不均問題。
    f.靶材純度不足:因解決靶材電阻率問題,需添加導電金屬造成無法生產高純度靶材。

    解決方案:更換我司製程-拉晶矽旋轉靶-提昇靶材各項指標 ~高純度/高密度/高導電率/低氧含量
     
  3. 矽靶生產規範說明:
    分析項目業界矽靶(噴塗製程)我司矽靶(拉晶製程)
    純度3N-4N5N
    密度>90%100%
    氣體含量6000ppm以下150ppm以下
    導電率100Ω以下0.02Ω以下
    導電率均勻度分佈不均均勻分佈
    使用功率8kw/米15kw/米
    氣孔
    不純物
    註:更換我司靶材,客戶端-良率及稼動率明顯提昇。